聚焦集成电路核心器件、器件模型、中后道寄生效应与参数提取、芯片设计应用开展研究，系统开展了130/90/40/22/14/7-5nm及以下工艺代器件、模型、寄生抽取及相关测试结构、专用测试电路研究。承担国家科技部02重大科技专项子课题、国家自然科学基金、上海市科委集成电路专项、企业研发等各类项目50余项；在IEEE Transactions on Electron Devices, IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Power Electronics, IEEE Transactions on Consumer Electronic, Nature等权威期刊及会议上发表学术论文120余篇，其中SCI检索80余篇；申请发明专利40余项，已授权20余项；与华为海思、上海集成电路研发中心(ICRD)、华力微电子、华虹宏力、华大九天、概伦电子、捷捷微电子等集成电路设计、制造、EDA头部企业长期合作，携手攻关核心技术。专注及特长领域包括：（1）集成电路核心器件及后摩尔时代优势竞选器件（GAAFET 、RFET、Forksheet FET、 CFET等）仿真与优化设计，（2）集成电路有源/无源器件直流、射频、波动性、统计分布及可靠性等特性研究与建模；（3）CMOS工艺中后道寄生抽取及ITF文件建立；(4) NFC、高频及UHF RFID标签芯片量产开发；（5）功率器件控制电路等芯片设计；（6）蓝牙射频芯片及WIFI功率放大器、NB-IoT功率放大器芯片量产开发。

团队教师主讲的《半导体器件原理与仿真》课程获评上海市一流本科课程；指导研究生多次获得研究生创芯大赛、全国大学生集成电路创新创业大赛全国一等奖、二等奖等成绩；毕业学生多选择华为海思、NVIDIA、AMD、OPPO、Cadence、Synopsys、华大九天、概伦电子、华力微电子、ICRD、华虹宏力等集成电路头部企业，从事集成电路核心技术研发工作。

代表性论文

1. Vertically Stacked Nanosheets Tree-type Reconfigurable Transistor with Improved On-Current，IEEE Transactions on Electron Devices, 69(1), 370-374,2022.

2. Impact of Process Fluctuations on RF Small-Signal Parameter of Gate-All-Around Nanosheet Transistor Beyond 3 nm Node, IEEE Transactions on Electron Devices, 69(1), 31-38,2022.

3. Impact of Process Fluctuations on Reconfigurable Silicon Nanowire Transistor, IEEE Transactions on Electron Devices, 68(2), 885-891,2021.

4. Analysis of Metal Work-Function Modulation Effect in Reconfigurable Field Effect Transistor, IEEE Transactions on Electron Devices, 67(9), 3745-3752, 2020.

5. A Vertical Combo Spacer to Optimize Electrothermal Characteristics of 7-nm Nanosheet Gate-All-Around Transistor, IEEE Transactions on Electron Devices, 67(6),2249-2254,2020.

6. Electronic Assessment of Novel Arch-shaped Asymmetrical Reconfigurable Field-Effect Transistor, IEEE Transactions on Electron Devices, 67(4),1894-1901,2020.

7. Novel Reconfigurable Field-effect Transistor with Asymmetric Spacer Engineering at Drain Side，IEEE Transactions on Electron Devices, 67(2), 651-657, 2020.

8. Vertical MoS2 transistors with sub-1-nm gate lengths, Nature, 603, 259-264, 2022.

9. Ultrafast non-volatile flash memory based on van der Waals heterostructures, Nature Nanotechnology, 16, 874–8812021.

科研项目

1. 国家02重大科技专项，“20 纳米平面体硅工艺及 22 纳米 FDSOI 工艺”子项目——”后道互连模型“，2017/01~2021/06，制造企业合作攻关，已结题；

2. 国家02重大科技专项， “45nm 成套产品工艺和IP-1”(2009ZX02023-002-1）子项目——”器件模型及参数提取”，2009/01~2013/05，制造企业合作攻关，已结题；

3. 国家自然科学基金面上项目，“深纳米三维FinFET结构栅围寄生电容模型及其波动性分布研究”，2016/01~2019/12，已结题；

4. 国家自然科学基金面上项目，“非对称侧墙三维环栅可重构晶体管：机理、模型及工艺研究”，2023/01~2026/12, 在研；

5. 国家自然科学基金面上项目，“水平环栅场效应晶体管动态导热机制及电路电热可靠性协同设计研究”， 2023/01~2026/12, 在研；

6. 上海市科委集成电路专项，“先进BCD车规级工艺平台高可靠性器件制造提升” 课题二 “0.18m BCD工艺LDMOS设计及建模”，2020/10~2023/10，制造企业合作攻关，在研；

7. 上海市科委探索者计划集成电路领域，“硅基毫米波太赫兹建模及IP设计验证”，2021/12~2024/11，在研；

8. 设计企业研发项目，“BEOL新型器件PEX建模”，2021/10~2023/04，在研；

9. 设计企业研发项目，“RF芯片可靠性优化设计” ，2021/12~2022/06，在研；

10. 设计企业研发项目，“UHF超高频标签芯片设计开发”，2022/1~2025/1，在研；

11. 设计企业研发项目，“SOI器件结构优化设计”，2022/07~2023/12，在研；

12. 设计企业研发项目，“基于机器学习的PEX建模”，2021/08~2023/2，在研；

13. EDA企业研发项目，“28纳米可靠性模型开发”，2020/10~2023/10，在研。