科学研究

聚焦集成电路材料与微纳器件的可靠性研究。在后摩尔时代，紧跟国际半导体器件路线图（ITRS）、围绕国家战略、集成电路重大需求，一方面，在“先进器件持续缩微“路线上，面向28nm/14nm/3nm工艺代器件，采用原位表征技术，结合EDA的MSCO“材料-器件-芯片-系统协同技术”，开展材料-器件可靠性的研究；另一方面，在“超越摩尔先进器件”路线上，采用原位感知技术，面向极端环境，尤其是医疗场景中需要植入式、柔性电子器件的环境，开展芯片-系统级可靠性研究。

学术成果方面，在Science、Nat. Comm.、Adv. Mat.、VLSI、IEEE EDL、IEEE TED等期刊发表第一/通讯作者论文200余篇，论文被引用10000余次。承担科技部重大研究计划课题（973）、国家基金委重点项目课题、上海市科委基础重点项目、重大研究计划项目等在内的国家和省部级课题30余项。应邀在相关领域国际会议上做大会报告、特邀报告等10余次。

教书育人方面，获得教育部产学合作协同育人项目、上海市一流本科课程等。指导学生完成全国挑战杯、互联网+、集创赛等，多名学生获得国家奖学金、上海市优秀毕业生。学生毕业后进入清华、北大、交大、复旦、东南大学攻读博士学位深造，就业前往研究院所、中电科集团、华为海思、华大九天等相关领域头部企业。

社会服务方面，拥有国家重大人才工程、中国科协青年托举工程、曙光学者、东方学者、上海市启明星、上海市三八红旗手、上海市脑计划求索学者等。在国内外多个学术团体任职，包括：IEEE国际集成电路物理失效分析会议技术委员会委员，中国电子学会青年科学家俱乐部专业委员会副秘书长，CSTIC集成电路技术大会技术委员会委员，半导体学报和InfoMat国际期刊青年编委。

    团队成员

  • 吴幸
    教授

    021-54345399
    xwu@ee.ecnu.edu.cn
    闵行信息楼524室

  • 毕恒昌
    研究员


    hcbi@cee.ecnu.edu.cn
    闵行信息楼617室

  • 吕良剑
    副教授


    ljlv@cee.ecnu.edu.cn
    闵行信息楼605室

  • 蔡春华
    副研究员


    chcai@cee.ecnu.edu.cn
    闵行信息楼614室

  • 王超伦
    专任副研究员


    clwang@cee.ecnu.edu.cn
    闵行信息楼328室

  • 李晓梅
    专任副研究员


    xmli@ic.ecnu.edu.cn
    闵行信息楼

  • 郁哲
    博士后


    zyu@cee.ecnu.edu.cn
    闵行信息楼309室

  • 杨紫涵
    科研助理


    zhyang@cee.ecnu.edu.cn
    闵行信息楼

代表性论文

[1] Z. Dong, Z. Sun, X. Yang, X. Li, Y. Xue, C. Luo, P. Cai, Z. Wang, S. Wang, Y. Zhang, C. Wang, P. Ren, Z. Ji,X. Wu*, R. Wang* and R. Huang, “Catching the missing EM consequence in soft breakdown reliability in advanced FinFETs: Impacts of self-heating, on-state TDDB, and layout dependence”, 2023 IEEE Symposium on VLSI Technology (VLSI), 00, 1–2, (2023). 集成电路顶会

[2] X. Chen, F. Du, C. Wang, H. Xu, Y. Zhang, F. Hou, X. Yang, Y. Wu, C. Tsai, Z. Chen, Y. Guo, Z. Liu and X. Wu*, “Direct visualization of breakdown-induced metal migration in enhanced modified lateral silicon-controlled rectifiers”, IEEE Trans. Electron Devices, 68(3), 1378–1381, (2021). 集成电路器件领域顶刊

[3] X. Liu#, T. Xu#,X. Wu#, Z. Zhang, J. Yu, H. Qiu, J. H. Hong, C.H. Jin, J. X. Li, X. R. Wang, L. T. Sun, W. L. Guo “Top–down fabrication of sub-nanometer semiconducting nanoribbons derived from molybdenum disulfide sheets”, Nat. Commun., 4, 1776, (2013).

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